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스트레인 게이지의 유도

스트레인 게이지의 유도

번호 검색 :13000     저자 :사이트 편집기     게시: 2015-08-25      원산지 :강화 된

스트레인 게이지는 측정에 사용되는 장치입니다변형개체에. 에 의해 발명에드워드 시몬스아서 C. 루즈1938 년에 가장 일반적인 유형의 스트레인 게이지는단열금속성 호일 패턴을 지원하는 유연한 지지대. 게이지는 다음과 같은 적합한 접착제로 물체에 부착됩니다.시아 노 아크릴 레이트. 물체가 변형됨에 따라 포일이 변형되어전기 저항바꾸다. 이 저항 변화는 일반적으로휘트 스톤 브리지로 알려진 양에 의해 변형과 관련이 있습니다.게이지 계수.


물리적 조작

스트레인 게이지는 물리적 특성을 활용합니다.전기 전도도도체의 지오메트리에 대한 의존성. 때전기 도체그것의 한계 내에서 스트레칭탄력그것이 끊어 지거나 영구적으로 변형되지 않도록 좁아지고 길어지며 전기 저항이 종단간에 증가합니다. 반대로, 도체가 버클 링되지 않도록 압축 될 때, 전기 저항이 종단 간 감소하는 변화가 넓어지고 짧아 질 것이다. 측정에서전기 저항스트레인 게이지의스트레스추론 될 수 있습니다.

일반적인 스트레인 게이지는 길고 얇은 전도성 스트립을 평행선의 지그재그 패턴으로 배열합니다. 전체 지그재그에 대한 주어진 변형에 대한 저항의 변화율이 단일 트레이스와 동일하기 때문에 감도가 증가하지 않습니다. 그러나 단일 선형 트레이스는 극도로 얇아 야하므로 과열 (저항을 변경하고 팽창시킬 수 있음) 또는 훨씬 더 낮은 전압에서 작동해야 저항 저항을 측정하기가 더 어려워 야합니다. 정확히.


220px-Strain_gauge.svg

220px- 언 마운트 _ 스트레인 _ 게이지

게이지 팩터


그만큼게이지 계수{\ displaystyle GF}GF다음과 같이 정의됩니다.

  • {\ displaystyle GF = {\ frac {\ Delta R / R_ {G}} {\ epsilon}}}GF = {\ frac {\ Delta R / R_ {G}} {\ epsilon}}


어디에

  • {\ displaystyle \ 델타 R}\ 델타 R변형으로 인한 저항의 변화입니다.

  • {\ displaystyle R_ {G}}R_ {G}변형되지 않은 게이지의 저항

  • {\ displaystyle \ epsilon}엡실론긴장이다.


일반적인 금속 포일 게이지의 경우 게이지 계수는 일반적으로 2보다 약간 큽니다. 단일 활성 게이지와 활성 게이지에 대해 동일한 저항을 갖는 3 개의 더미 저항의 경우휘트 스톤 브리지구성, 출력 {\ displaystyle v}v다리에서 대략 :

  • {\ displaystyle v = {\ frac {BV \ cdot GF \ cdot \ epsilon} {4}}}v = {\ frac {BV \ cdot GF \ cdot \ epsilon} {4}}


어디에

  • {\ displaystyle BV}BV브리지 여기 전압입니다.


포일 게이지의 크기는 일반적으로 약 2-10 mm2입니다. 신중한 설치, 올바른 게이지 및 올바른점착제최대 10 %의 변형률을 측정 할 수 있습니다.



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